Схема разговорного тракта между телефонными аппаратами разных местных сетей

Построить схему разговорного тракта между абонентами разных местных сетей. Согласно варианту,

Исходящая местная сеть: СТС

Междугородняя сеть: АМТС - УАК1

Входящая сеть: ГТС без узлов

При распределении величины остаточного затухания следует учитывать следующие рекомендации:

остаточное затухание междугородного канала между двумя телефонными аппаратами на частоте 800 Гц не должно превышать 30 дБ;

остаточное затухание четырехпроводной части зонового канала равно 7 дБ, абонентской линии - 4,5 дБ, СЛМ и ЗСЛ - 4 дБ;

ОС, УС, ЦС, АТС, УИС, УВС, АМТС при двухпроводной коммутации не более 1 дБ, при четырех проводной - 0 дБ;

все УАК имеют остаточное затухание 0,5 дБ.

На СТС норма в 4 дБ приходится на 2 коммутируемых участка ОС- С и УС-ЦС, что при значительной протяженности сельских линий реализовать трудно, поэтому четырехпроводный канал следует доводить до УС и даже ОС, что определяется следующими расчетами.

Пусть расстояние между ЦС и УС равно L=4+0.2∙2=4.4 км, а расстояние между УС и ОС - равно M=6-0.2∙2=5.6 км. Тогда применение симметричного низкочастотного кабеля с диаметром проводников, равным 0,8 мм, позволит получить общее затухание на этих участках равное

(L+M)∙0.65=(4.4+5.6)∙0.65=6.5 дБ > 4 дБ

Общее затухание тракта:

.5+1+3.64+1+2.86+1+4+3.5+0.5+0.5+3.5+4+1+4.5=35.5 дБ > 30 дБ

Получится следующая схема разговорного тракта (рис.4):

Рисунок 4 - Схема разговорного тракта между абонентами СТС и ГТС

Расчет показывает, что общее затухание превышает допустимый предел (6.5>4; 35.5>30 дБ), поэтому очевидно, необходимо продлить четырехпроводный тракт до УС.

Получим общее затухание тракта:

.5+1+3.64+1+3.5+0.5+0.5+3.5+4+1+4.5=27.64 дБ < 30 дБ

Тогда на участке УС-ОС, длиной 1 км можно применить проводник с меньшим сечением d=0.6 мм:

Затухание на участке УС-ОС: 5.6∙0.87=4.872 дБ

Общее затухание:

.5+1+4.872+1+3.5+0.5+0.5+3.5+4+1+4.5=28.87 дБ

Схема разговорного тракта приведена на рис. 5:

Рисунок 5 - Схема разговорного тракта между абонентами СТС и ГТС

Другое по теме:

Вольтамперная характеристика p-n-перехода
Основными схемными элементами в микроэлектронике являются транзисторы и диоды. На данный момент они производятся из полупроводниковых материалов. Рассмотрим их свойства. По значению удельного электрического сопротивления ...

Технологические процессы изготовления микросхем
Использование специальной технологии изготовления тонких слоев различной проводимости на изоляционной подложке или целенаправленное изменение проводимости в определенных зонах полупроводникового материала позволило реализоват ...

©  www.techvarious.ru - 2019