Топология ГИМС

Для определения размеров резисторов находим их коэффициент формы

фi = Ri/Rs

В нашем случае материалом является нитрид тантала с удельным поверхностным сопротивлением Rs = 400 Ом/квадрат. Результаты заносим в таблицу 4.

Расчет длины резистора проводим по формуле

Ширина резистора определяется как

bi = li/Kфi

Результаты заносим в таблицу 4. Так как ширина резисторов R1, R2 и R3 получилась менее 0,2 мм, то принимаем их ширину равной 0,2 мм и пересчитаем их длину. Длину резистора R4 округляем до 1,45 мм и пересчитаем его ширину. Новые результаты занесём во вторую строку таблицы 4.

Таблица 4 - Размеры пленочных резисторов

R1

R2

R3

R4

Kф1

l1, мм

b1, мм

Kф1

l1, мм

b1, мм

Kф1

l1, мм

b1, мм

Kф1

l1, мм

b1, мм

Расчетн.

25

1.212

0.048

20

1.413

0.071

20

1.212

0.061

2

1.413

0.707

Окончательное значение

25

5.00

0.200

20

4.000

0.200

20

4.000

0.200

2

1.450

0.725

Определим площадь, занимаемую резисторами.

SR = SR1+ SR2+ SR3+ SR4 = 1+0,8+0,8+1,05 = 3,65 мм2

Навесные элементы с указанием их размеров приведены на рисунке 4.

Площадь, занимаемая навесными элементами, равна

S = SVT1+ SVT2+ SVT3+ SVT4 = 2,25+2,25+1+1 = 6,5 мм2.

Общая площадь, занимаемая плёночными резисторами и навесными элементами, равна 10,15 мм2. Учитывая площадь соединений, промежутки между элементами ИМС и расстояние от края подложки, следует увеличить суммарную площадь подложки в 4-5 раз, то есть площадь должна составить не менее 50 мм2. Из таблицы 5 выбираем подложку с размерами 12х10 мм.

Таблица 5 - Рекомендуемые размеры подложек для гибридных ИМС

Длина, мм

30

30

30

24

20

16

12

10

Ширина, мм

24

16

12

20

16

10

10

10

Составляем топологический чертёж ИМС, размещая рассчитанные элементы на поле подложки (рисунок 5).

Итак, ни тонко-, ни толстоплёночная технология не обеспечивают выполнение всех требований схемотехники, так как они обеспечивают изготовление только пассивных элементов и проводников без активных элементов. В полупроводниковых ИМ пассивные элементы возникают как побочный продукт, их характеристики хуже, чем у дискретных элементов. Ограниченные линейность, температурная стабильность и большой допуск на значение номиналов резисторов и конденсаторов ограничивают применение полупроводниковых ИМ, однако, отдельные свойство тонко- и толстоплёночных микросхем хорошо дополняют друг друга; комбинация их обеспечивает создание высококачественных микросхем, при описании гибридно-пленочных интегральных микросхем, которые реализуются при монтаже дискретных бескорпусных элементов или полупроводниковых ИМ в интегральные тонко- или толстоплёночные схемы

Перейти на страницу: 1 2

Другое по теме:

Двухэлементная директорная антенна
Заданы: длина волны , относительное расстояние между вибраторами , диаметры вибраторов 2а и , размер h петлевого вибратора, суммарное реактивное сопротивление пассивного вибратора (директора или рефлектора), входное сопрот ...

Проектирование АЦП с двойным интегрированием
Основной целью данного курсового проекта является ознакомление с методикой проектирования и расчёта электронных устройств. Закрепление теоретических знаний, полученных в ходе изучения курса данного предмета. Задача курсового ...

©  www.techvarious.ru - 2020