Топология и разрез транзисторов

Для достижения этого должно быть минимальным. Так как минимальный размер 5 мкм, то для ширины и длины канала необходимо взять по 10 мкм:

Для получения и , необходимо взять оптимальное соотношения, при котором и - минимально:

Тогда крутизны транзисторов будут следующими:

Расчёт ёмкостей.

) Ёмкости перекрытия каналов

Так как область перекрытия со стороны сток и исток одинакова, то и ёмкости будут одинаковы:

Где

- удельная ёмкость подзатворного диэлектрика

- ширина области перекрытия

- длина области перекрытия (равна ширине канала)

Аналогично для нагрузочного транзистора:

В программе P-Spice используются удельные ёмкости перекрытия на длину перекрытия (CGSO, CGDO):

) Ёмкости переходов.

Ёмкость перехода исток-подложка и сток-подложка:

где

- диэлектрическая проницаемость вакуума,

- диэлектрическая проницаемость кремния,

- площадь донной части перехода сток-подложка и исток-подложка.

В соответствии с топологией нагрузочного и активного транзистора (см. пункт 3) получаем:

Для нахождения воспользуемся формулой , где

- заряд электрона,

- концентрация внедрённых в канал ионов,

- напряжение на переходе.

Подставляя числа в выражение для , получаем:

.

Подставляя полученные значения в формулу для и , получаем:

,

.

Ёмкость затвор-подложка:

,

.

В программе P-Spice используются удельные ёмкости перекрытия на длину перекрытия (CGBO):

,

Перейти на страницу: 1 2 3

Другое по теме:

Расчет основных характеристик системы передачи информации
Рассчитать основные характеристики системы передачи информации, структурная схема которой приведена ниже. Рисунок 1.- Структурная схема системы передачи ИС - источник непрерывного сообщения a(t); АЦП - анал ...

Технологические процессы изготовления микросхем
Использование специальной технологии изготовления тонких слоев различной проводимости на изоляционной подложке или целенаправленное изменение проводимости в определенных зонах полупроводникового материала позволило реализоват ...

©  www.techvarious.ru - 2021