Расчёт схемы эмиттерного повторителя в канале изображения

Для подключения полосового фильтра к микросхеме цифрового полосового фильтра, необходимо поставить буферный каскад. В качестве такого буферного каскада можно использовать эмиттерный повторитель на биполярном транзисторе.

ток отдаваемый в нагрузку, Iн = 5 мА;

напряжения в нагрузке Uн = 4 В;

напряжение питания Uпит = 7 В;

частотный диапазон входного сигнала fсиг (0,2 Гц - 7,5 МГц);

допустимый уровень частотных искажений Мн = 1.1 dB.

Выбор транзистора производим исходя из заданной максимальной частоты сигнала. Выберем транзистор КТ3172А. [9] Это транзистор кремниевый эпитаксильно-планарный, структуры n-p-n усилительный. Предназначенный для применения в бытовой видеотехнике.

Справочные данные:

статический коэффициент передачи тока 40;

входное сопротивление транзистора 727 Ом:

граничная частота 300 МГц;

максимальный ток коллектора 20 мА;

максимальное напряжение коллектор-эмиттер 20 В.

Рис 3.1. Схема эмиттерного повторителя в канале изображения.

Расчёт постоянной составляющей тока эмиттера

, (2,1)

где IЭ0 - постоянная составляющая тока эмиттера, мА;

IН - ток в нагрузке, мА;

КЗ - коэффициент запаса = 1,7.

Расчёт статического коэффициента передачи тока в схеме с общей базой

, (2,2)

где h21Б - статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой;

h21Э - статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером.

Расчёт постоянной составляющей тока коллектора

, (2,3)

где IК0 - постоянная составляющая тока коллектора, мА;

IЭ0 - постоянная составляющая тока эмиттера, мА;

h21Б - статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой.

Расчёт постоянной составляющей коллекторного напряжения

, (2,4)

где UКЭМИН - остаточное напряжение на коллекторе, 0,5…1 В;

Uн - напряжение в нагрузке, В.

проверяем условие UК0< UДОП. Условие выполняется.

Расчёт резистора RЭ

, (2,6)

где RЭ - сопротивление резистора RЭ, Ом;

Uпит - напряжение питания, В;

IЭ0 - постоянная составляющая тока эмиттера, мА;

UК0 - постоянная составляющая коллекторного напряжения, В.

Расчет резистора в цепи базы

, (2,7)

где RБ - сопротивление резистора RБ, Ом;

RЭ - сопротивление резистора RЭ, Ом;

h21Э - статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером.

3.1.7 Расчёт крутизны вольтамперной характеристики транзистора

, (2,8)

где S - крутизна вольтамперной характеристики транзистора, А/В;

h21Э - статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером;

Перейти на страницу: 1 2

Другое по теме:

Применение на судовых станциях автоматических идентификационных систем
автоматическая идентификационная система информация Суда при подходе к крупным морским торговым портам непрерывно следуют друг за другом и навстречу друг другу. В акваториях портов для обеспечения безопасности плавания определ ...

Отработка конструкций радиоэлектронных средств на технологичность
Технологическая подготовка производства РЭС (радиоэлектронных средств) должна содержать оптимальные решения не только задач обеспечения технологичности изделия, проектирования и постановки производства, но и проведения измене ...

©  www.techvarious.ru - 2019