Расчет местного отсоса

При расчете местного отсоса считаем, что концентрация вредных веществ в воздухе рабочей зоны выше предельно-допустимой.

Местный отсос выбран из-за того, что концентрация вредных веществ накапливается на незначительной площади. Всасывающее отверстие местного отсоса выбираем в виде прямоугольника.

Количество отсасываемого воздуха определяется по формуле[17]:

где, Q - количество отсасываемого воздуха;

Е - большая сторона прямоугольного отверстия;- расстояние от плоскости всасывающего отверстия до зоны пайки;- осевая сторона в зоне пайки.

Меньшая сторона прямоугольного отверстия (b) определяется из оптимального состояния между сторонами всасывающего отверстия b и E, при котором количество отсасываемого воздуха будет минимальным [17].

(8.1)

Площадь всасываемого отверстия определяется по формуле [17]:

(8.2)

Формула справедлива в пределах значения [17]:

(8.3)

зададимся параметрами X = 0,2м и E = 0,4м, тогда из соотношения найдем минимальную сторону прямоугольника [17]:=0.075м

Отношение b/E попадает в заданный интервал ограничений, значит можно воспользоваться формулой.

Находим площадь всасываемого отверстия:= 0,03м.

Примем осевую скорость VX в зоне пайки равной 0,6 м/с [17]. Тогда исходя из формулы количество отсасываемого воздуха будет равно [17]:= 0,29 мс.

Если использовать местный отсос с круглым отверстием, то количество отсасываемого воздуха будет находиться по формуле [17]:

(8.4)

где, d - диаметр всасываемого отверстия.

Значит, при использовании всасываемого отверстия круглой формы мы хотим поддержать Q=0,29 м3/с, то по формуле диаметр трубы будет равен:= 0,34м.

Другое по теме:

Оптимизация по быстродействию и по расходу электроэнергии
Быстрое развитие электроники привело к ее масштабному проникновению в самые разные области науки, техники и повседневной человеческой жизни. Способность электронных устройств обрабатывать огромные массивы разнородной информа ...

Разработка конструкторской документации на изделие USB-термометр
Развитие в конструировании электронной техники происходит с каждым годом. Это связано в первую очередь с развитием полупроводниковых элементов. Замена электронных ламп на полупроводниковые транзисторы и диоды открыло новый эта ...