Расчет линейного детектора и усилительного каскада

В качестве линейного детектора используем классическую схему импульсного детектора, а усилительный каскад построим на операционном усилителе (рис.5.1). Так как входной сигнал имеет достаточно малый уровень Um < 0,2 В то коэффициент передачи детектора Кд « 1. Линейная зависимость Кд от амплитуды сигнала приводит к квадратичной детекторной характеристике

,

(5.2)

где m - коэффициент модуляции, примем равным m = 0,8 /2/.

Кд приемом равным, исходя из /З/, Кд = 0,1.

Таким образом, по формуле (5.2) вычислим

При выборе параметров С1 и R1 надо исходить из условия

,

где Тн - период несущего колебания, равный

tи - продолжительность импульса, равная 0,5 мкс.

Исходя из этих данных выберем R1 = 10 кОм и С1 = 6,8 пФ.

Выбор постоянной времени разделительной цепи производят по соображениям защиты от длительно действующей помехи /З/

где Rвх оу - входное сопротивление ОУ. Конкретно для микросхемы К140УД7 Rвх оу = 400 кОм.

Отсюда

Выберем из существующих конденсаторов С2 = 6,8 пФ.

Основным критерием выбора диода является максимальная частота до которой сохраняется нормальное функционирование элемента. Из справочника /5/ выберем в качестве VD1 КД521Б.

Так как стандартный выходной уровень логической 1 микросхем ТТЛ составляет 2,4 . 2,7 В, то необходимо усилить обрабатываемые импульсы примерно в 350 раз. Применяя классическую схему усилителя на ОУ (рис.5.1.), рассчитываем R2 и R3 , исходя из формулы

.

Таким образом, исходя из нужного усиления, выберем R2 = 300 Ом и R3 = 100 кОм. В качестве ОУ выберем операционный усилитель среднего класса точности с внутренней частотной коррекцией К140УД7 с резистором R4 = 10 кОм, корректирующем установку нуля.

Другое по теме:

Современное состояние и перспективы развития связи в России
Анализ мирового опыта, а также результаты исследований, выполненных ITU-T и рядом компаний, позволяют выделить следующие основные технические и технологические тенденции развития электросвязи. • развитие ...

Вольтамперная характеристика p-n-перехода
Основными схемными элементами в микроэлектронике являются транзисторы и диоды. На данный момент они производятся из полупроводниковых материалов. Рассмотрим их свойства. По значению удельного электрического сопротивления ...