Повышение точности и помехозащищённости средств измерений

Наблюдается постоянная тенденция возрастания требований к точности измерений и соответственно, к совершенствованию измерительной техники. В последние два десятилетия существенный скачок в развитии СИ связан с успехом естественных наук. Здесь стоит отметить освоение макроскопических квантовых эффектов: Мейснера, Джозефсона, Холла. Также нашли свое применение мощные когерентные источники излучения в оптическом радиодиапазоне, прежде всего разработку лазерной спектроскопии высокого разрешения (ЛСВР), включающую спектроскопию поглощения, гамма спектроскопию. Использование перечисленных эффектов даёт возможность достижения предельной точности измерений, ограничивающейся только принципом неопределённости В. Гейзенберга.

Среди факторов, оказывающих значительное влияние на развитие приборостроения и измерительной техники являются также введение средств вычислительной техники (СВТ) в измерительную цепь (распространение СВТ на функции управления экспериментом и принятие решений) и удовлетворение возрастающих требований науки и промышленности к качеству измерений. Первый обуславливает возможность создания СИ нового поколения - интеллектуальных СИ (сенсоры, контрольно измерительные системы, использующие базы знаний и нейронные сети). Второй из этих факторов даёт толчок к непрерывному поиску новых принципов измерений при создании СИ. Таким образом, выход на естественные пределы измерений, компьютеризация СИ а также возрастание требований к качеству измерений приводит к тому что точность СИ становится ключевой проблемой приборостроения и при её решении необходимо использовать математический аппарат теории вероятности и математической статистики, теорию информации и планирования эксперимента, системный анализ, теорию множеств (в том числе и теорию нечетких множеств), теорию оптимальных алгоритмов, функциональный анализ, теорию искусственного интеллекта и др.

    Другое по теме:

    Однокаскадные усилители
    Исходные данные для расчета выбираются в соответствии с вариантом и содержат вид транзистора (ПТ - полевой, БП - биполярный транзисторы), схему включения транзистора (ОЭ, ОИ, ОБ и т.п.), положение рабочей точки транзистора, н ...

    Разработка конструкторской документации на изделие USB-термометр
    Развитие в конструировании электронной техники происходит с каждым годом. Это связано в первую очередь с развитием полупроводниковых элементов. Замена электронных ламп на полупроводниковые транзисторы и диоды открыло новый эта ...

    ©  www.techvarious.ru - 2018