Электроника и электротехника

Дано:

И-НЕ схема на n-МОП транзисторах

Минимальный размер - 3 мкм.

Толщина окисла - 50 нм.

Требуется:

. Описать принцип работы схемы.

. Выбрать и описать технологию изготовления схемы.

. Нарисовать топологию и разрез элементов схемы.

. Рассчитать параметры элементов схемы.

. С помощью программы P-Spice рассчитать:

передаточную характеристику схемы;

переходную характеристику схемы;

статическую и динамическую мощности, потребляемые схемой.

. Нарисовать топологию всей схемы.

. Сравнить с аналогами, выпускаемыми промышленностью.

1. Принцип работы схемы

Таблица истинности для логического элемента И-НЕ:

Вход1

Вход2

Вход3

Выход

0

0

0

1

0

0

1

1

0

1

0

1

0

1

1

1

1

0

0

1

1

0

1

1

1

1

0

1

1

1

1

0

Для логических схем на -МОП транзисторах уровень логического нуля приблизительно равен нулю, а уровень логической единицы - меньше чем Eпит. Сток и затвор верхнего нагрузочного транзистора подключены к питанию, поэтому всегда выполняется неравенство

,

следовательно нагрузочный транзистор всегда открыт и работает в пологой области как нелинейный транзистор.

Если хотя бы один на один активный транзистор подано напряжение логического нуля, то он оказывается заперт, вследствие чего выход отключается от земли и на нём устанавливается напряжение логической единицы. При этом U1лог будет меньше Eпит из-за влияния нагрузочного транзистора:

.

Если на оба активных транзистора подано напряжение логической единицы, то выход оказывается подключённым к земле, а нагрузочный транзистор имеет большое сопротивление. В этом случае на выходе получается уровень логического нуля порядка 0,1-0,3 В.

. Технология изготовления схемы

Технологический процесс для -канального МОП-прибора с металлическим затвором будет следующим:

1. Получение p-подложки со структурой (100) (Na=1015 см-3)

2. Выращивание защитного слоя окисла

3. Фотолитография для вскрытия областей стока и истока n+ типа.

4. n+ диффузия и выращивание окисла

. Фотолитография для p-ограничителей канала

. Диффузия или внедрение ионов p-типа, рост окисла (Na=1017 см-3).

7. Фотолитография для тонких слоёв окисла под затворы. Вскрытие окон под выводы.

8. Ионное внедрение бора для регулировки UЗИпор n-МОП-приборов.

9. Термическое выращивание тонкого слоя окисла под затворами (lOX=100 нм).

10. Отжиг для активации внедрённых ионов и восстановления повреждений кристаллической решётки.

11. Фотолитография для вскрытия окон под контакты стока и истока.

. Осаждение парообразного алюминия.

. Фотолитография для формирования рисунка металлической разводки и контактных площадок.

14. Нанесение низкотемпературного пиролитического стекла.

15. Фотолитография для вскрытия окон под контактные площадки для проволочных соединений.

    Другое по теме:

    Гастроэнтеростимулятор ГЭС-35-01 Эндотон-01Б
    Механизм нервной регуляции функции желудочно-кишечного тракта сложен и в настоящее время недостаточно изучен. В регуляции принимают участие кора головного мозга, спинальные центры и нервные сплетения вегетативной нервной сис ...

    Спиральная антенна
    В окружающем нас мире часто очень важным оказывается тот факт, что человек не может обойтись без большого количества необходимой и своевременной информации. Эта информация может носить как мирный так и военный ха ...

    ©  www.techvarious.ru - 2018