Вольтамперная характеристика p-n-перехода

Основными схемными элементами в микроэлектронике являются транзисторы и диоды. На данный момент они производятся из полупроводниковых материалов. Рассмотрим их свойства.

По значению удельного электрического сопротивления полупроводники занимают промежуточное место между хорошими проводниками и диэлектриками.

Необходимым условием резкого уменьшения удельного сопротивления полупроводника при введении примесей является отличие валентности атомов примеси от валентности основных атомов кристалла.

Проводимость полупроводников при наличии примесей называется примесной проводимостью. Различают два типа примесной проводимости - электронную и дырочную проводимости.

Примесь из атомов с валентностью, превышающей валентность основных атомов полупроводникового кристалла, называется донорной примесью. В таком кристалле nn >> np. Такая проводимость называется электронной, а полупроводник, обладающий электронной проводимостью, называется полупроводником n-типа.

Примесь атомов, способных захватывать электроны, называется акцепторной примесью. В результате введения акцепторной примеси в кристалле разрывается множество ковалентных связей и образуются вакантные места (дырки). На эти места могут перескакивать электроны из соседних ковалентных связей, что приводит к хаотическому блужданию дырок по кристаллу. Наличие акцепторной примеси резко снижает удельное сопротивление полупроводника за счет появления большого числа свободных дырок.

Концентрация дырок в полупроводнике с акцепторной примесью значительно превышает концентрацию электронов, которые возникли из-за механизма собственной электропроводности полупроводника: np >> nn. Проводимость такого типа называется дырочной проводимостью. Примесный полупроводник с дырочной проводимостью называется полупроводником p-типа. Основными носителями свободного заряда в полупроводниках p-типа являются дырки.

В любом полупроводниковом приборе имеется один или несколько электронно-дырочных переходов. Электронно-дырочный переход (или n-p-переход) - это область контакта двух полупроводников с разными типами проводимости.

При контакте двух полупроводников n- и p-типов начинается процесс диффузии: дырки из p-области переходят в n-область, а электроны, наоборот, из n-области в p-область. В результате в n-области вблизи зоны контакта уменьшается концентрация электронов и возникает положительно заряженный слой. В p-области уменьшается концентрация дырок и возникает отрицательно заряженный слой. Таким образом, на границе полупроводников образуется двойной электрический слой, электрическое поле которого препятствует процессу диффузии электронов и дырок навстречу друг другу. Пограничная область раздела полупроводников с разными типами проводимости (так называемый запирающий слой) обычно достигает толщины порядка десятков и сотен межатомных расстояний. Объемные заряды этого слоя создают между p- и n-областями запирающее напряжение Uз, приблизительно равное 0,35 В для германиевых n-p-переходов и 0,6 В для кремниевых.p-переход обладает свойством односторонней проводимости.

Если полупроводник с n-p-переходом подключен к источнику тока так, что положительный полюс источника соединен с n-областью, а отрицательный - с p-областью, то напряженность поля в запирающем слое возрастает. Дырки в p-области и электроны в n-области будут смещаться от n-p-перехода, увеличивая тем самым концентрации неосновных носителей в запирающем слое. Ток через n-p-переход практически не идет. Напряжение, поданное на n-p-переход в этом случае называют обратным. Весьма незначительный обратный ток обусловлен только собственной проводимостью полупроводниковых материалов, т. е. наличием небольшой концентрации свободных электронов в p-области и дырок в n-области.

Если n-p-переход соединить с источником так, чтобы положительный полюс источника был соединен с p-областью, а отрицательный с n-областью, то напряженность электрического поля в запирающем слое будет уменьшаться, что облегчает переход основных носителей через контактный слой. Дырки из p-области и электроны из n-области, двигаясь навстречу друг другу, будут пересекать n-p-переход, создавая ток в прямом направлении. Сила тока через n-p-переход в этом случае будет возрастать при увеличении напряжения источника.

Способность n-p-перехода пропускать ток практически только в одном направлении используется в приборах, которые называются полупроводниковыми диодами. Полупроводниковые диоды изготавливаются из кристаллов кремния или германия. При их изготовлении в кристалл с каким-либо типом проводимости вплавляют примесь, обеспечивающую другой тип проводимости.

Полупроводниковые диоды используются в выпрямителях для преобразования переменного тока в постоянный. Полупроводниковые приборы не с одним, а с двумя n-p-переходами называются транзисторами.

В настоящее время полупроводниковые приборы находят исключительно широкое применение в радиоэлектронике. Современная технология позволяет производить полупроводниковые приборы - диоды, транзисторы, полупроводниковые фотоприемники и т. д. - размером в несколько нанометров. Качественно новым этапом электронной техники явилось развитие наноэлектроники, которая занимается разработкой интегральных микросхем и принципов их применения.

1)

Вывести зависимость I(U) для p-n-перехода (ВАХ).

2)

Определить время жизни электронов и дырок по известной ВАХ германиевого диода снятой при 300К.

Известно, что

τn = Аτp.

Площадь р-п-перехода S, концентрация примесей в п- и р-областях Nd и Na.

Считать что примеси полностью истощены, а собственная проводимость еще очень мала.=1,6∙10-19- заряд электрона, Кл=1,38∙10-23- постоянная Больцмана, Дж∙сi2 =5,6∙1038 - концентрация носителей заряда, м-6

µp =1,82- подвижность дырок, м2/ В∙с

µn =0,38- подвижность электронов, м2/ В∙сd =8,0

1023 - концентрация донорных атомов примеси, м-3a=1,0

1024 - концентрация акцепторных атомов примеси, м-3

S=1 мм2

Рис. 1. - ВАХ кремниевого диода снятая при 300 К

3)

Построить графики зависимости плотности тока насыщения от температуры.

4)

Составить программу вычисления значений Jos

для графика.

    Другое по теме:

    Применение на судовых станциях автоматических идентификационных систем
    автоматическая идентификационная система информация Суда при подходе к крупным морским торговым портам непрерывно следуют друг за другом и навстречу друг другу. В акваториях портов для обеспечения безопасности плавания определ ...

    Проектирование ЦСК EWSD, состав и размещение ее основных блоков
    В развитых странах волоконно-оптическая связь заняла лидирующее положение среди других средств связи. Ее отличительной чертой является значительно более высокая скорость передачи информации и более высокая надежность по сравне ...

    ©  www.techvarious.ru - 2018