Частотно-модулированный СВЧ передатчик

В последнее время является очень актуальной проблема создания высоконадежной, экономичной и малогабаритной приемо-передающей аппаратуры. Для передающей аппаратуры она решается она миниатюризации применяемых активных элементов и колебательных систем на основе использования полупроводниковых приборов и гибридных интегральных микросхем. В начале это постигалось переходом от электронных ламп (типа ЛБВ, ЛОВ) к транзисторной технике. При этом достаточно остро стояла проблема маломощности передатчиков на транзисторах. Но с 80-х годов все большее развитие стали получать полупроводниковые генераторные диоды, обладающие по сравнению с транзисторами рядом преимуществ: более высокая максимальная частота, выходная мощность на высоких частотах, надежность, технологичность, стабильность частоты. Полупроводниковые генераторные диоды СВЧ или диоды с отрицательным сопротивлением, выделены в отдельный класс, к ним относят лавинно - пролетные диоды (ЛПД), диоды с междолинным переносом электронов, называемые диодами Ганна (ДГ), лавинно - ключевые диоды, инжекционно - пролетные диоды.

Полупроводниковые диоды не уступают и электронных генераторным лампам, в импульсном режиме на диоде Ганна были получены рекордные для твердотельных приборов значения мощности ( около 6 кВт) и КПД (до 30%).

Претерпели изменение и колебательные системы: на частотах 13 -17 ГГц, при небольших мощностях стало актуально и практически выгодно использовать микрополосковые линии, т.к. они позволяют миниатюризировать и удешевить конструкцию передатчика.

    Другое по теме:

    Двухэлементная директорная антенна
    Заданы: длина волны , относительное расстояние между вибраторами , диаметры вибраторов 2а и , размер h петлевого вибратора, суммарное реактивное сопротивление пассивного вибратора (директора или рефлектора), входное сопрот ...

    Однокаскадные усилители
    Исходные данные для расчета выбираются в соответствии с вариантом и содержат вид транзистора (ПТ - полевой, БП - биполярный транзисторы), схему включения транзистора (ОЭ, ОИ, ОБ и т.п.), положение рабочей точки транзистора, н ...

    ©  www.techvarious.ru - 2018