Оценивание суммарной погрешности СИ

Структурная схема анализируемого СИ:

Блоки 1, 3-6 безынерционные с коэффициентами преобразования К1 = 1; К3=10; К4 = 50; К5 = 5; К6 =  = 0,2. На выходе преобразователя, образуемого блоками 1 - 6, включен вольтметр действующих значений (блок 7).

2. Модель помехи: стационарный нормальный белый шум со спектральной плотностью N0;

3. Модель входного сигнала. последовательность повторяющихся радиоимпульсов длительностью , периодом повторения 2 амплитудой U0, несущей частотой 0;

4. Частотная характеристика второго блока: полосовой фильтр

5. Предельные значения относительных мультипликативных погрешностей СИ отдельных блоков, %:

d1 = 0 d2 = 0.1 Н; d3 = 0,5 Р; d4 = 1,5 Н; d5 = 1,0 Р; d6 = db = 0,05 Н;

Класс точности вольтметра: 0,5/0,1.

Условные обозначения распределений: Н - нормальное, Р - равномерное, Тр - треугольное, Т - стандартное трапецивидное, А - антимодальное. 6. Нормальные условия работы СИ для влияющей величины: температура Рабочие условия применения для влияющей величины: температура нижнее значение -10оС верхнее значение +40оС 7. Характеристики дополнительной погрешности: Дополнительная погрешность не превосходит 30% от основной на 100С. 8. Спектральная плотность мощности мультипликативной погрешности.

• Нахождение и построение спектра мощности входного сигнала и помехи на входе средства измерения
• Выбор параметров фильтра, исходя из допустимого уровня помехи при заданных параметрах фильтра
• Нахождение спектра мощности входного сигнала и помехи на выходе инерционного блока
• Оценивание аддитивной погрешности средства измерения
• Суммарная аддитивная погрешность
• Оценивание основной погрешности
• Оценивание дополнительной погрешности
• Оценивание суммарной мультипликативной погрешности
• Оценивание класса точности средства измерения

Другое по теме:

Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке
В современных телевизорах цифровая техника играет все большую роль. Благодаря применению микропроцессоров и постоянно модернизируемых интегральных открылись новые широкие возможности по управлению различными процессами работы ...

Разработка конструкторской документации на изделие USB-термометр
Развитие в конструировании электронной техники происходит с каждым годом. Это связано в первую очередь с развитием полупроводниковых элементов. Замена электронных ламп на полупроводниковые транзисторы и диоды открыло новый эта ...